方法經歷了幾次發展的拐點。目前我們正面臨又一個拐點,在這個拐點設計師需要在設計中具有更強的預測能力以彌補制造工藝如光刻和蝕刻工藝中產生的變化。在90納米以下工藝, GD
SII圖形中的正方形和長方形被轉換成硅片上的等高線。但是,無論對這些理想的形狀采取了多少種OPC/RET方法,他們都將轉換成等高線,并因此而改變了芯片有源和無源層的特性。這種可變性在整個工藝窗內變得更嚴重,因為設計實現和分析是基于理想的GDSII形狀,設計階段和實際的晶圓之間存在巨大的差異。隨著幾何尺寸的縮小,性能變化將進一步加劇。
DFM要求硅片等高線預測
圖1:右邊的緊湊模型囊括了左側的整個掩模生成流程,它可以用來從畫版圖開始預測硅片的等高線。
圖2:基于模型的DMC。
亞90納米器件及互連變化
圖3:由晶體管長度引起的Ion和Ioff變化。
電氣DFM
SII OPC工具移植到設計師的桌面上。
作者:Nitin Deo
行銷和業務發展部副總裁
Clear Shape科技公司
