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訂 貨 號(hào):IXYH50N120C3D1 品牌:IXYS/艾賽思
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù),可降低熱電阻和能源損耗。 這些設(shè)備提供快速切換時(shí)間,具有低尾線電流,并提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有封裝。
高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達(dá)額定擊穿電壓
短路容量,確保 10usec
正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和專有高電壓封裝
絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 90 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 625 W |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
開(kāi)關(guān)速度 | 50kHz |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |