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onsemi NVMTS0D7N04CLTXG MOSFET

訂貨號(hào)：NVMTS0D7N04CLTXG 品牌：MTS

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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onsemi NVMTS0D7N04CLTXG MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效，具有高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP，適用于汽車應(yīng)用。

體積小（ 8 x 8 毫米）
低 RDS（接通）
低 QG 和電容
可潤(rùn)側(cè)翼選件
支持 PPAP
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
切換電源
電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等）
最終產(chǎn)品
電動(dòng)機(jī)控制 - EPS 、雨刷、風(fēng)扇、座椅等
負(fù)載開關(guān) - ECU 、底盤、車身

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	433 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類型	Dfnw
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	630 μΩ μ a
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2.5V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	205 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	±20 V
典型柵極電荷@Vgs	99 nc @ 4.5 V
寬度	8mm
長(zhǎng)度	8.1mm
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1

暫無

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