當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 mA |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SSMini3 F3 B |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 15 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.5V |
最大功率耗散 | 125 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 0.85mm |
長度 | 1.6mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |