發布日期：2022-07-19 點擊率：13
富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至至，配有串行外設接口（SPI）。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實現量產。
這款全新FRAM產品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。
圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝
圖2：應用實例（ADAS）
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
自2017年以來，富士通電子不斷推出工作電壓或5V的64Kbit~2Mbit的汽車級FRAM產品。但高端汽車電控單元的推出，使得一些客戶開始要求FRAM的工作電壓低于。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿足這一市場需求而面世的。
MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數，適合某些需要實時數據記錄的應用，比如連續10年每天每0.1秒記錄一次數據，則寫入次數將超過30億。另外，這款產品可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到汽車級產品的認證標準。因此，在數據寫入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實時數據記錄的應用。
這款FRAM產品采用業界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為 x x 的8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。
圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝
除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲產品。富士通電子將繼續提供內存產品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。
關鍵規格
o組件型號：MB85RS2MLY
o容量（組態）：2Mbit（256Kx8位）
o接口：SPI（SerialPeripheralInterface）
o運作頻率：最高50MHz
o運作電壓：1.7伏特伏特
o運作溫度范圍：攝氏零下40度-攝氏125度
o讀∕寫耐用度：10兆次(1013次)
o封裝規格：8-pinSOP與8-pinDFN
o認證標準：符合AEC-Q100Grade1
詞匯與備注
注一：鐵電隨機存取內存（FRAM）
FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。
