STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。
最大接點溫度: tj = 175 °c
低 vce ( sat ) = 1.65 v (典型值) @ ic = 30 a
非??焖偾臆浕謴?fù)的共封二極管
最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布
低熱阻
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 50 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
晶體管數(shù) | 1 |
最大功率耗散 | 50 W |
封裝類型 | TO-220FP |
引腳數(shù)目 | 3 |