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訂 貨 號:FS100R12KE3BOSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數量:10 品牌屬性:進口
品牌商價:¥0.00
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型號:FP30R06W1E3B11BOMA1
價格: ¥0
庫存:10
訂貨號: FP30R06W1E3B11BOMA1
型號:FF150R12RT4HOSA1
訂貨號: FF150R12RT4HOSA1
型號:STGIB15CH60TS-L
訂貨號: STGIB15CH60TS-L
型號:MWI200-06A8
訂貨號: MWI200-06A8
Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發射極電壓為 1200 V,總耗散功率為 480 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。
內部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)柵極-發射極峰值電壓 + /- 20 V最大集電極-發射極飽和電壓 2.15 V柵極-發射極泄漏電流 400 nA
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