ON Semiconductor 650 V , 50 A FS4 高速 IGBT。這通過平衡 VCE (sat) 和 Eoff 損耗以及可控的 Turnoff VCE 過沖來提供出眾性能。非常適合太陽能逆變器, UPS , EV 充電站, ESS 和其他高性能功率轉換應用。
正溫度系數(shù)
易于并聯(lián)操作
低切換損耗
屬性 | 數(shù)值 |
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最大連續(xù)集電極電流 | 200 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | 15V |
最大功率耗散 | 268 W |
晶體管數(shù) | 30 |
封裝類型 | TO-247-4ld |