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訂 貨 號:FGH40N60SMD_F085 品牌:IRC
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
來自 Fairchild Semiconductor 的一系列場截止溝道 IGBT,已通過壓力測試,并符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。
? 正溫度系數(shù)易于并行操作
? 高電流容量
? 低飽和電壓
? 高輸入阻抗
? 收緊參數(shù)分布
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263(每包 800 個(gè))
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247(每包 30 個(gè))
所述電流額定值在結(jié)點(diǎn)溫度為 Tc = +100°C 時(shí)適用。
AEC-Q101
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 80 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 600 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 349 W |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |