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產(chǎn)品分類

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STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT

訂 貨 號(hào):STGW8M120DF3      品牌:Tronics

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

1200 V IGBT M 系列基于溝道場(chǎng)截止 (TFS) 技術(shù),設(shè)計(jì)用于在 2 至 20 kHz 切換頻率下工作的應(yīng)用。這些 IGBT 具有高度優(yōu)化的傳導(dǎo)和關(guān)斷特性以及導(dǎo)通損耗,特別適用于應(yīng)用(例如太陽能反相器、焊接設(shè)備、UPS 和工業(yè)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器)中的硬切換電路。

低損耗 IGBT 系列,用于高達(dá) 20 kHz 的應(yīng)用
由于達(dá)到 1200 V 的擊穿電壓,因此堅(jiān)固耐用,非常可靠
薄型 IGBT 模具,用于增加熱阻
正 VCE(sat) 溫度系數(shù),具有嚴(yán)格的參數(shù)分布
優(yōu)化二極管,確保快速恢復(fù)

短路耐受時(shí)間為 11 μs
嚴(yán)格的參數(shù)分布
更安全的并聯(lián)
低熱阻
反并聯(lián)二極管柔軟且可快速恢復(fù)


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 16 A @ +25°C
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 1
最大功率耗散 167 W
封裝類型 TO
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
開關(guān)速度 1MHz
晶體管配置
尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm
暫無

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