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Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTDTU IGBT

訂 貨 號：FGL60N100BNTDTU      品牌：IRC

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Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTDTU IGBT
產品詳細信息

分離式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor

IGBT 分立件和模塊，Fairchild Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數值
最大連續集電極電流 60 A
最大集電極-發射極電壓 1000 V
最大柵極發射極電壓 ±25V
封裝類型 TO-264
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數目 3
晶體管配置 單
尺寸 20 x 5 x 26mm
暫無

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