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onsemi FCP190N60_GF102 MOSFET

訂貨號：FCP190N60_GF102 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild 使用超級結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。它提供最佳堅(jiān)固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用，如服務(wù)器、電信、計(jì)算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應(yīng)用。
利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可實(shí)現(xiàn)更高效經(jīng)濟(jì)的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	20 A
最大漏源電壓	600 V
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	199 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	2.5V
最大功率耗散	208 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	4.672mm
典型柵極電荷@Vgs	57 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C
晶體管材料	Si
長度	10.36mm

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