TrenchFET? Gen IV power MOSFET
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SO-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 900 μΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 125 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | +20 V、+6 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 5mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 125 nC @ 10 V |
每片芯片元件數目 | 1 |
長度 | 5.99mm |