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Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiDR392DP-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

TrenchFET? Gen IV power MOSFET
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO-8
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 900 μΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 125 W
晶體管配置
最大柵源電壓 +20 V、+6 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 5mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 125 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
長度 5.99mm
暫無

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