HEXFET 與肖特基二極管于同一個封裝內(nèi)
適用于同步調(diào)節(jié)器應(yīng)用
低 VF 肖特基整流器
顯著節(jié)省板空間
縮短設(shè)計時間,削減裝配成本和庫存成本
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.7 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 98 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
長度 | 5mm |
典型柵極電荷@Vgs | 23 nC @ 10 V |
寬度 | 4mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | Si |