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onsemi NVMFD5C478NLT1G MOSFET

訂 貨 號:NVMFD5C478NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NVMFD5C478NLT1G MOSFET
產品詳細信息

汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設計用于緊湊型高效設計,包括高熱性能。可潤側翼選件可用于增強型光學檢驗。適用于汽車應用。

特點
低接通電阻
高電流容量

支持 PPAP
NVMFD5C478NLWF - 可潤側翼產品

優點
最低傳導損耗
可靠負載性能
防止電壓過應力故障
適用于汽車應用
增強型光學檢驗
應用
電磁閥驅動器
低側/高側驅動器
最終產品
汽車發動機控制器
防抱死制動系統


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 29 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 14.5 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 23 W
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 8.1 nC @ 10 V
長度 5.1mm
每片芯片元件數目 2
寬度 6.1mm
暫無

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