hex場 ? 功率 Infineon 設(shè)計利用最新的處理技術(shù),可在每個硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)低接通電阻。此優(yōu)勢結(jié)合了 ex場 效應(yīng)功率式高功率器件聞名的快速開關(guān)速度和耐震器件設(shè)計、為設(shè)計人員提供了一個極其高效和可靠的器件、適用于汽車和各種其他應(yīng)用。
先進的平面技術(shù)
雙 n 溝道 mosfet 低接通電阻
邏輯電平柵極驅(qū)動
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.7 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SO-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.16 Ω |
最大柵閾值電壓 | 3V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |