DiodesZetex 制造新一代 N 通道增強(qiáng)模式 MOSFET,它設(shè)計用于最大程度地減少接通狀態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時保持出色的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。它是一種綠色設(shè)備,完全無鉛、鹵素和抗鋅。此 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封裝。它提供快速切換和高效率。其 100% 無夾電感切換可確保更可靠且堅固的終端應(yīng)用。小于 1.1 mm 的封裝尺寸使其特別適用于薄型應(yīng)用。
最大排放到源電壓為 30 V,最大門到源電壓為 ±20 V。熱效封裝特別適用于更冷運(yùn)行應(yīng)用,提供 低輸入電容
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 150 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | PowerDI5060-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.003 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3V |