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Infineon IPD80R2K8CEATMA1 MOSFET

訂貨號(hào)：IPD80R2K8CEATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon IPD80R2K8CEATMA1 MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon mosfet 設(shè)計(jì)又聞名于“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設(shè)備。“場(chǎng)效應(yīng)”代表設(shè)備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
用于汽車應(yīng)用的功率 mosfet

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	1.9 A
最大漏源電壓	80 V
封裝類型	Pg - to 252.
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	2.8. Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3.9V
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	硅

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