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訂 貨 號:TSM220NB06LCR 品牌:
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Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶體管表示“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設(shè)備?!皥鲂?yīng)”代表設(shè)備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。
低 rds (接通)可有效減少 低柵極電荷、用于快速電源切換 經(jīng)過 100% uis 和 rg 測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)漏極電流 | 35 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PDFN56 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 22 米Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
晶體管材料 | 硅 |