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Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR MOSFET

訂 貨 號：TSM300NB06DCR      品牌：

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Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR MOSFET
產品詳細信息

Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶體管表示“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設備。“場效應”代表設備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

低 rds （接通）可有效減少 低柵極電荷、用于快速電源切換 經過 100% uis 和 rg 測試


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)漏極電流 25 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PDFN56
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 30 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
晶體管材料 硅
暫無

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