the Infineon 600V CoolMOS CFD7 n 通道功率 mosfet 。coolmos ?是一項革命性技術,適用于高電壓功率的高功率功率半導體,設計符合超結( sj )原理,并采用了 Infineon 技術。
超快主體二極管
低柵極電荷
同類杰出的反向恢復充電( qrr )
改進的 mosfet 反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 穩定
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 18 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.125 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數目 | 1 |
晶體管材料 | Si |