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訂 貨 號(hào):SIHD11N80AE-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Vishay e 系列功率 mosfet 采用 dak ( o252 )封裝類(lèi)型、采用單配置。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容(吻)
減少切換和傳導(dǎo)損耗
超低柵極電荷 (Qg)
雪崩能量等級(jí)( uis )
集成齊納二極管 esd 保護(hù)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類(lèi)型 | DPAK (TO-252) |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.391. Ω |
最大柵閾值電壓 | 2 → 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |