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當 N 溝道不適合您的設(shè)計時，P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設(shè)計，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

30 V，雙 P 溝道 Trench MOSFET，雙 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護：> 2 kV HBM
繼電器驅(qū)動器
高速線路驅(qū)動器
高側(cè)負載開關(guān)
開關(guān)電路