STMicroelectronics STripFET? F7 系列低電壓 MOSFET 具有較低設(shè)備通態(tài)電阻,內(nèi)部電容和柵極電荷降低,以便更快、更高效地切換。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 5.6 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大功率耗散 | 125 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
晶體管材料 | Si |
長度 | 10.4mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
寬度 | 9.35mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |