on ON Semiconductor 功率 mosfet 以 60 安培和 1200 伏的電流運行。它可用于不間斷電源、直流或直流轉(zhuǎn)換器、升壓變頻器。
40mO 漏極到電源接通電阻
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
無鉛
符合 RoHS
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 60 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | D2PAK |
引腳數(shù)目 | 7 |
最大漏源電阻值 | 0.04 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.3V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | SiC |