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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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onsemi NTMFS006N12MCT1G MOSFET

訂 貨 號(hào)：NTMFS006N12MCT1G      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTMFS006N12MCT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

on ON Semiconductor n 通道 mv mosfet 采用 Advanced power trench 工藝生產(chǎn)、該工藝采用了屏蔽柵極技術(shù)。此過(guò)程已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)使用同類(lèi)最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。

低 rds （接通）可有效減少傳導(dǎo)
低電容、有效減少驅(qū)動(dòng)器


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 93 A
最大漏源電壓 120 V
封裝類(lèi)型 DFN
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 0.006. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無(wú)

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