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產(chǎn)品分類
分類：
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onsemi NVBG020N120SC1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：NVBG020N120SC1      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVBG020N120SC1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

on ON Semiconductor 單 n 溝道碳化硅（ sic ） mosfet 采用全新技術(shù)、與硅相比、可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)包括最高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI、更小的系統(tǒng)尺寸以及更低的成本。

超低柵極電荷（典型值 qg （ tot ） = 220nC ）
低有效輸出電容
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)漏極電流 98 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 D2PAKa? 7L
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.028 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.3V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 SiC
暫無(wú)

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