ON Semiconductor iii mosfet?高電壓超級?2 c 結點( sj ) mosfet 系列,利用電荷平衡技術,可實現(xiàn)卓越的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。此先進 Advanced 技術可有效減少傳導損耗、提供卓越的切換性能和耐受極端 dv/dt 速率。
超低柵極電荷
低有效輸出電容 909 pve.
通過 100% 雪崩測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 49 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | H-1h PSOF8L |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.05 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |