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onsemi NVD5C478NT4G MOSFET

訂貨號(hào)：NVD5C478NT4G 品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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onsemi NVD5C478NT4G MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車(chē)功率 MOSFET 采用 DPAK 封裝，設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì)，包括高熱性能。適用于汽車(chē)應(yīng)用。

特點(diǎn)
低接通電阻
高電流容量

支持 PPAP

優(yōu)點(diǎn)
最低傳導(dǎo)損耗
可靠負(fù)載性能
電壓過(guò)應(yīng)力保護(hù)
應(yīng)用
低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
最終產(chǎn)品
汽車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)
汽車(chē) HVAC 電動(dòng)機(jī)
ABS 壓力泵

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	42 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類(lèi)型	DPAK
安裝類(lèi)型	表面貼裝
引腳數(shù)目	4
最大漏源電阻值	8.4 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	30 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	±20 V
寬度	6.22mm
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+175 °C
長(zhǎng)度	6.73mm
典型柵極電荷@Vgs	14 nC @ 10 V

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