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產(chǎn)品分類

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onsemi NVMFS6H801NT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NVMFS6H801NT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFS6H801NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

ON Semiconductor

ON Semiconductor DFN5 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產(chǎn)品、具有 80V 的漏電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它在 10V 柵源電壓下具有 2.8mohm 的漏極電阻。其最大連續(xù)漏電電流為 157A 、最大功耗為 166W 。 此 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電壓為 10V 。MOSFET 經(jīng)過(guò)優(yōu)化、可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?汽車功率 MOSFET
?緊湊高效的設(shè)計(jì)
?高散熱性能
?無(wú)鉛 (Pb)
?低 QG 和電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
?低 RDS (接通)以最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
?最大程度地減少驅(qū)動(dòng)器損失
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?可選配可增強(qiáng)光學(xué)檢查功能的可濕式支架

應(yīng)用

?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?負(fù)載開(kāi)關(guān)
? 電動(dòng)機(jī)控制
?電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、 H 橋等)
?切換電源

認(rèn)證

? AEC?Q101
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 157 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 2.8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 166 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 64 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
寬度 6.1mm
長(zhǎng)度 5.1mm
暫無(wú)

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