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訂 貨 號(hào):NVMFS6H801NT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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ON Semiconductor DFN5 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產(chǎn)品、具有 80V 的漏電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它在 10V 柵源電壓下具有 2.8mohm 的漏極電阻。其最大連續(xù)漏電電流為 157A 、最大功耗為 166W 。 此 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電壓為 10V 。MOSFET 經(jīng)過(guò)優(yōu)化、可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。
?汽車功率 MOSFET
?緊湊高效的設(shè)計(jì)
?高散熱性能
?無(wú)鉛 (Pb)
?低 QG 和電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
?低 RDS (接通)以最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
?最大程度地減少驅(qū)動(dòng)器損失
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?可選配可增強(qiáng)光學(xué)檢查功能的可濕式支架
?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?負(fù)載開(kāi)關(guān)
? 電動(dòng)機(jī)控制
?電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、 H 橋等)
?切換電源
? AEC?Q101
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 157 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 2.8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 166 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 64 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 6.1mm |
長(zhǎng)度 | 5.1mm |