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訂 貨 號:NVTFS6H854NTAG 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
汽車功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。
體積小( 3.3 x 3.3 毫米)
低接通電阻
低電容
NVTFS6H850 NWF-Wetable Flanks 產(chǎn)品
支持 PPAP
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動器損耗
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
適用于汽車應(yīng)用
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、半橋等)
切換電源
最終產(chǎn)品
電磁閥驅(qū)動器 – ABS,燃油噴射
電動機(jī)控制 - EPS 、雨刷、風(fēng)扇、座椅等
負(fù)載開關(guān) - ECU 、底盤、車身
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 44 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | WDFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 14.5 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 68 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
長度 | 3.15mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 3.15mm |