工業功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。
體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK8 封裝、工業標準
這些設備無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 200 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | LFPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 2.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 長度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 4.9mm |
