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onsemi FDMA3023PZ MOSFET

訂貨號：FDMA3023PZ 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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PowerTrench? 雙 P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構，可提供電荷平衡。利用這一先進技術，這些設備的 FOM（品質(zhì)因素）顯著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	2.9 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	MLP
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	240 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	0.4V
最大功率耗散	1.4 W
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	-8 V、+8 V
晶體管材料	Si
寬度	2mm
長度	2mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2
典型柵極電荷@Vgs	7.9 nC @ 4.5 V

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