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onsemi NTMFS4833NT1G MOSFET

訂 貨 號:NTMFS4833NT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTMFS4833NT1G MOSFET
產品詳細信息

低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
低電容可最大限度地減少驅動器損耗
經過優化的柵極電荷,可最大限度地減少切換損耗
這些都是無鉛?器件
應用
請參閱應用手冊 AND8195
CPU 電源傳輸
直流?直流轉換器
低側切換


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 191 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 3 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 113.6 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 4.9mm
每片芯片元件數目 1
長度 5.8mm
典型柵極電荷@Vgs 88 nC @ 11.5 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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