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onsemi NVHL080N120SC1 MOSFET

訂貨號：NVHL080N120SC1 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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onsemi NVHL080N120SC1 MOSFET

產(chǎn)品詳細信息

碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技術，與硅相比，它具有卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)的優(yōu)勢包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和減小系統(tǒng)大小。

1200V 等級
最大 RDS （接通） = 110mΩ Ω （ Vgs = 20V 時）、 ID = 20A
高速開關和低電容
器件不含鉛
應用
PFC
OBC
最終產(chǎn)品
用于 EV/PHEV 的汽車直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
汽車車載充電器
汽車輔助電機驅(qū)動

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	44 A
最大漏源電壓	1200 V
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	162 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4.3V
最小柵閾值電壓	1.8V
最大功率耗散	348 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-15 V 、 +25 V
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	SiC
長度	15.87mm
寬度	4.82mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	56 常閉 @ 20 V

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