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產(chǎn)品分類

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onsemi NVMFD6H852NLWFT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NVMFD6H852NLWFT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFD6H852NLWFT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFD6H852NLWF ? 可潤(rùn)側(cè)翼選件,用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
支持 PPAP
這些設(shè)備無(wú)鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 25 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 31.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 ±20 V
長(zhǎng)度 6.1mm
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
寬度 5.1mm
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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