商用功率 MOSFET 采用 3x3 mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。
特點
低接通電阻
低柵極電荷
體積小巧 (3 x 3 mm)
優點
最大限度地減少傳導損耗
最大限度地減少切換損耗
緊湊設計
應用
反向器電池保護
電源開關（高側驅動器、低側驅動器、半橋等）
同步整流
最終產品
電動機控制
電池管理
開關電源
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 68 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | WDFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 9.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 107 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 3.15mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| 長度 | 3.15mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
