功率 MOSFET 40V150A 2.1M Ω 單 N 通道
低 RDS(接通)
低輸入電容
盡量減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少交換損失
應(yīng)用
裝載點(diǎn)模塊
高性能 dcdc 轉(zhuǎn)換器
次要 SYN 。整流
直流電動機(jī)驅(qū)動
最終產(chǎn)品
網(wǎng)通、電信
服務(wù)器
手持設(shè)備電源工具
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 155 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 3.1 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2V |
最小柵閾值電壓 | 1.2V |
最大功率耗散 | 89 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 6.1mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 45 nC @ 10 V |
長度 | 5.1mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |