on ON Semiconductor iii 系列 n 溝道 800V mosfet 針對回飛轉換器的主開關進行了優化、憑借優化的設計、可在不影響 emi 性能的情況下降低開關損耗和外殼溫度。此外、內部齊納二極管顯著提高了 esd 能力。由于其在開關電源應用（如筆記本電腦適配器、音頻、照明、 atx 電源和工業電源）中的出色性能、此新系列使應用變得更加高效、緊湊、冷卻和堅固。
連續漏極電流額定值為 13A
漏極到電源接通電阻額定值為 360mohm
超低柵極電荷
輸出電容中存儲的能量低
通過 100% 雪崩測試
封裝類型為 d-pak
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 13 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 360 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
