ON Semiconductor?FET 系列是全新高電壓超結(jié) MOSFET ,利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)卓越的低接通電阻和更低柵極電荷性能。此 Advanced 技術(shù)專為有效減少傳導(dǎo)損耗而設(shè)計,提供卓越的切換性能,并可耐受極端 dv/dt 速率。
低有效輸出電容
通過 100% 雪崩測試
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
無鉛?Ω
符合 RoHS
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 24 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.125. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |