40V 150A 3 相 trench MOSFET 反相器橋接
經優化用于 12V 電池系統
包括 1% 精密分流電阻器，用于電流感應
包括 NTC 溫度傳感器
包括電阻器電容器減震器電路
符合汽車規格
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 150 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | PDIP |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 19 |
| 最大漏源電阻值 | 1.86 mΩ |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 115 W |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 29.2mm |
| 每片芯片元件數目 | 6 |
| 最高工作溫度 | +120 °C |
| 長度 | 43.8mm |
| 晶體管材料 | Si |
