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產(chǎn)品分類

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onsemi FDG313N MOSFET

訂 貨 號:FDG313N      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi FDG313N MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

增強模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增強模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 950 mA
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 SOT-363 (SC-70)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 760 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.65V
最大功率耗散 750 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 1.25mm
典型柵極電荷@Vgs 1.64 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 2mm
暫無

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