UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。 此外,內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。
UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展)和電子燈鎮(zhèn)流器。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.4 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.5 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 114 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
長度 | 6.73mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 6.22mm |