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onsemi FDN327N MOSFET

訂貨號：FDN327N 品牌：安森美_Onsemi

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在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	2 A
最大漏源電壓	20 V
封裝類型	SOT-23
安裝類型	表面貼裝
引腳數目	3
最大漏源電阻值	70 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	0.4V
最大功率耗散	500 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-8 V、+8 V
每片芯片元件數目	1
寬度	1.4mm
長度	2.92mm
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
最高工作溫度	+150 °C

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