UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)基準(zhǔn)效率的特性。 該設(shè)備可耐受雪崩模式中的高能量,且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復(fù)時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進(jìn)行了優(yōu)化。
應(yīng)用:高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電動機(jī)驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)和電源管理。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 75 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 285 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
長度 | 10.67mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 175 nC @ 20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 4.7mm |