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onsemi FQB27P06TM MOSFET

訂貨號：FQB27P06TM 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半導(dǎo)體方面， P 通道 MOSFET 采用半導(dǎo)體專有的高細(xì)胞密度 DMOS 技術(shù)制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻，從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢：

?電壓控制的 P 通道小信號開關(guān)
?高密度單元設(shè)計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術(shù)

應(yīng)用：

?負(fù)載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護(hù)
?電源管理控制
?直流電機(jī)控制

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	27 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	70 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	3750 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	33 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
長度	10.67mm
寬度	9.65mm
最高工作溫度	+175 °C

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應(yīng)用：

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