NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個封裝中同時采用 P 和 N 通道,非常適用于低控制信號,低電池電壓和高負載電流。N 通道具有內部 ESD 保護功能,可以由低至 1.5V 的邏輯信號驅動,而 P 通道則設計用于負載切換應用。P 信道還采用半溝道技術設計。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 250 mA,880 mA |
最大漏源電壓 | 20 V,30 V |
封裝類型 | SOT-363 (SC-88) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 2.5 Ω, 500 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1.5V |
最大功率耗散 | 270 mW |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -20 V、-12 V、+12 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
寬度 | 1.35mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 0.9 nC @ 5 V,2.2 nC @ 4.5 V |
長度 | 2.2mm |
晶體管材料 | Si |