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onsemi FQB47P06TM-AM002 MOSFET

訂貨號：FQB47P06TM-AM002 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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增強模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半導體方面， P 通道 MOSFET 采用半導體專有的高細胞密度 DMOS 技術制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻，從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

特點和優(yōu)勢：

?電壓控制的 P 通道小信號開關
?高密度單元設計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術

應用：

?負載切換
? DC/DC 轉換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	47 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	26 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	3.75 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
寬度	9.65mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C
長度	10.67mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	84 nC @ 10 V

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onsemi FQB47P06TM-AM002 MOSFET

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增強模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

特點和優(yōu)勢：

應用：

半導體 MOSFET 晶體管，半

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