Infineon 的 StrongIRFE 系列經(jīng)過優(yōu)化,RDS(接通)低且載流能力高。 此組合提供更高的柵極、雪崩和動態(tài) dv/dt 耐受性,特別適用于性能和強(qiáng)健性非常重要的工業(yè)低頻應(yīng)用,包括電動機(jī)驅(qū)動器、電動工具、逆變器和電池管理。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 195 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 2.4 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.7V |
最小柵閾值電壓 | 2.1V |
最大功率耗散 | 294 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 10.67mm |
寬度 | 4.83mm |
典型柵極電荷@Vgs | 186 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +175 °C |