射頻晶體管為 LDMOS,適用于范圍為 1 MHz 至 2 GHz 應用中的 L 頻段衛星上行鏈路和 DMOS 功率晶體管。
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 20 A |
最大漏源電壓 | 125 V |
封裝類型 | M174 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 4 |
通道模式 | 增強 |
最大功率耗散 | 389 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 24.89mm |
長度 | 26.67mm |
最高工作溫度 | +200 °C |
每片芯片元件數目 | 1 |
晶體管材料 | Si |